IRF9530NSL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF9530NSL
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内容描述：	HEXFETÂ®功率MOSFET [HEXFETÂ® Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 330 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

IRF9530NS/L

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

表面贴装（ IRF9530NS ）

通孔低调（ IRF9530NL ）

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

全额定雪崩

描述

DSS

= -100V

DS （ ON）

= 0.20Ω

= -14A

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET

是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用

应用程序。

对D

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

白是适合的，因为高电流应用

其较低的内部连接性，可以消散

高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRF9530NL ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2 P AK

T O服务-26 2

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-14

-10

-56

3.8

0.53

± 20

250

-8.4

7.9

-5.0

-55〜 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

1.9

单位

° C / W

1 / 10

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