IRFR2307Z 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFR2307Z
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内容描述：	HEXFETÂ®功率MOSFET [HEXFETÂ® Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 649 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

IRFR2307Z

IRFU2307Z

特点

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 75V

DS （ ON）

= 16mΩ

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。附加功能

这种设计的是一个175 ℃的结操作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计非常高效，

在汽车应用中使用可靠的设备

和各种其他应用程序。

= 42A

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C连续漏电流， V

@ 10V

（硅有限公司）

@ T

= 100℃连续漏电流， V

@ 10V

@ T

= 25°C

连续漏电流， V

漏电流脉冲

D- PAK

IRFR2307Z

马克斯。

210

110

0.70

± 20

I- PAK

IRFU2307Z

单位

@ 10V

（包装有限公司）

= 25 °C功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

W / ℃，

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

（测试）

英镑

雪崩电流

100

140

看到图12a ， 12b中，15，16

-55〜 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

θJC

θJA

结到外壳

参数

典型值。

马克斯。

1.42

110

单位

° C / W

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

–––

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

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