IRL2203NS/L
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先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
100% R
G
经过测试
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 30V
R
DS （ ON）
= 7.0mΩ
G
S
I
D
= 116A
描述
先进的HEXFET
®
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装，可调节
模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和最低
可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。对D
2
PAK
适合，因为它的低内部连接的高电流的应用
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRL2203NL ）可用于低轮廓的应用程序。
D
2
PAK
IRL2203NS
TO-262
IRL2203NL
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
最大
116
82
400
3.8
180
i
单位
A
W
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
e
Ã
1.2
± 16
60
18
5.0
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
结到外壳
k
参数
典型值
最大
0.85
40
单位
° C / W
结到环境（ PCB安装，稳态）
jk
–––
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