MC6602 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MC6602
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内容描述：	氮磷通道32 -V （ DS ） MOSFET高性能沟道技术 [N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 524 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

飞思卡尔

ñ & P沟道32 V（ D- S）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET的

利用高密度沟槽工艺

提供低R

DS （ ON）

并且，以确保最小的

功率损耗和散热。典型

应用的DC- DC转换器和

功率管理在便携式和

电池供电的产品如

计算机，打印机，PCMCIA卡，

蜂窝和无绳电话。

•

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

TSOP - 6可节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AO6 6 02 / MC6 6 02

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

-30

TSOP-6

顶视图

N沟道MOSFET

(A)

3.7

3.1

-2.7

-2.2

P沟道MOSFET

0.063 @ V

= 10V

0.090 @ V

= 4.5V

0.112 @ V

= -10V

0.172 @ V

= -4.5V

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

帕拉梅之三

符号N沟道P- CHANNE升单位

-30

漏源电压

±20

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

, T

英镑

3.7

2.9

1.05

1.15

0.7

-2.7

-2.1

-8

-1.05

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

工作结存储温度范围

-55到150

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

吨< = 10秒

稳定状态

符号

thJA

N沟道

典型值

最大

130

110

150

P沟道

典型值

最大

130

110

150

单位

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

www.freescale.net.cn

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