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型号: MCD410
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内容描述: N通道30 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 400 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
N通道30 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
DPAK节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AOD4 10 / 10 MCD4
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m(Ω)
59 @ V
GS
= 10V
30
88 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
24
20
绝对最大
IMUM评级(T
A
= 25
o
C除非OTHERW
S
ISE说明)
符号
BOL
LIM
其单位
PARAM
ETER
V
DS
30
漏源电压
V
V
GS
±20
G
吃源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
C
= 25 C I
D
24
75
30
50
I
DM
I
S
o
T
C
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流(二极管传导)
工作结储存温度
温度范围内
T
J
, T
英镑
-55至175
C
热电阻额定值
参数
符号
最大结点到环境
a
最大结到外壳
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
最大
50
3.0
单位
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
1
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