SIHD7N60E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SIHD7N60E
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内容描述：	E系列功率MOSFET [E Series Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 419 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

SiHD7N60E

E系列功率MOSFET

特点

•

低图-的品质因数（ FOM ）R

X Q

低输入电容（C

国际空间站

)

降低开关和传导损耗

超低栅极电荷（Q

)

额定雪崩能量（ UIS）

材质分类：对于定义

符合请参阅

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产品概述

（五）在T

马克斯。

DS （ ON）

最大。在25℃ （  ）

最大。（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

单身

650

0.6

应用

服务器和电信电源

开关模式电源（ SMPS ）

功率因数校正电源供应器（ PFC ）

灯光

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- 高强度放电（ HID ）

- 荧光灯镇流器照明

=工业

- 焊接

- 感应加热

- 电机驱动器

- 电池充电器

- 可再生能源

- 太阳能（光伏逆变器）

•

DPAK

(TO-252)

N沟道MOSFET

订购信息

包

DPAK （ TO- 252 ）

SiHD7N60E-GE3

铅（ Pb），且无卤

SiHD7N60ET-GE3

SiHD7N60ETR-GE3

SiHD7N60ETL-GE3

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

栅源电压AC （F > 1赫兹）

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

漏源电压斜率

反向二极管

dv / dt的

= 125 °C

, T

英镑

dv / dt的

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

600

± 20

0.63

- 55至+ 150

300

W / ℃，

°C

V / ns的

°C

单位

焊接建议（峰值温度）

10秒

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

B 。 V

= 50 V ，起始物为

= 25 ° C，L = 13.8 mH的，R

= 25

Ω,

= 2.5 A.

Ç 。 1.6毫米的情况。

D.我

≤

，的di / dt = 100 A / μs的，起始物为

= 25 °C.

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