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型号: SQ4330EY
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内容描述: 汽车双N沟道30 V ( DS ) 175 ℃的MOSFET [Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 898 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQ4330EY
汽车双N沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(  )在V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
(  )在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
G
1
D
2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
G
2
D
1
30
0.016
0.022
8.0
D
2
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• AEC- Q101标准
d
• 100 % R
g
和UIS测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
订购信息
铅( Pb),且无卤
SO-8
SQ4330EY-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流(二极管传导)
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
a
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
8
7
4
32
34
57
4.3
1.4
- 55〜 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚(漏极)
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
Ç 。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
ð 。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJF
极限
110
35
单位
° C / W
1 / 10
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