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    SQ4410EY 参数 Datasheet PDF下载

    SQ4410EY图片预览
    型号： SQ4410EY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 879 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ4410EY的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ4410EY
    汽车N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    产品概述
    V
    DS
    (V)
    R
    DS （ ON）
    （  ）在V
    GS
    = 10 V
    R
    DS （ ON）
    （  ）在V
    GS
    = 4.5 V
    I
    D
    (A)
    CON组fi guration
    30
    0.012
    0.020
    15
    单身
    D
    特点
    • TrenchFET
    ®
    功率MOSFET
    • AEC- Q101标准
    • 100 % R
    g
    和UIS测试
    •材料分类： 
    对于合规的定义，请参见
    www.freescale.net.cn
    SO-8
    S
    S
    S
    G
    1
    2
    3
    4
    顶视图
    N沟道MOSFET
    8
    7
    6
    5
    D
    D
    D
    D
    S
    G
    订购信息
    包
    铅（ Pb），且无卤
    SO-8
    SQ4410EY-T1-GE3
    绝对最大额定值
    (T
    C
    = 25 ℃，除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    连续源电流（二极管传导）
    漏电流脉冲
    a
    单脉冲雪崩电流
    单脉冲雪崩能量
    最大功率耗散
    a
    工作结存储温度范围
    L = 0.1 mH的
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 125 °C
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 125 °C
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    S
    I
    DM
    I
    AS
    E
    AS
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    30
    ± 20
    15
    9
    4.5
    60
    38
    72
    5
    1.6
    - 55〜 + 175
    mJ
    W
    °C
    A
    单位
    V
    热电阻额定值
    参数
    结到环境
    结到脚（漏极）
    笔记
    一。脉冲测试;脉冲宽度
    300微秒，占空比
    2 %.
    B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
    印刷电路板安装
    b
    符号
    R
    thJA
    R
    thJF
    极限
    90
    30
    单位
    ° C / W
    1 / 10
    www.freescale.net.cn

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