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    SQD07N25-350H 参数 Datasheet PDF下载

    SQD07N25-350H图片预览
    型号： SQD07N25-350H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车双N沟道250 V （ DS ） 175 ℃的MOSFET [Automotive Dual N-Channel 250 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 793 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQD07N25-350H的Datasheet PDF文件第9页  
    SQD07N25-350H
    汽车双N沟道
    250 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    10
    3.6
    I
    D
    = 17 A
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    8
    I
    D
    = 10 A
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    （归一化）
    V
    DS
    = 125 V
    6
    3.0
    2.4
    1.8
    V
    GS
    = 10 V
    4
    1.2
    2
    0.6
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    0.0
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    栅极电荷
    100
    导通电阻与结温
    0.7
    10
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    T
    J
    = 150
    °C
    1
    0.2
    - 0.3
    I
    D
    = 5毫安
    - 0.8
    I
    D
    = 250 μA
    0.1
    T
    J
    = 25
    °C
    0.01
    - 1.3
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    - 1.8
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    源漏二极管正向电压
    320
    I
    D
    = 10毫安
    阈值电压
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    306
    292
    278
    264
    250
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    漏源击穿与结温
    4/9
    www.freescale.net.cn

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