SQD19P06-60L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SQD19P06-60L
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内容描述：	汽车P沟道60 V （D -S ） 175 ℃的MOSFET [Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 Â°C MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 806 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

SQD19P06-60L

汽车P沟道

60 V （ D- S） 175℃ MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

（  ）在V

= - 10 V

DS （ ON）

（  ）在V

= - 4.5 V

(A)

CON组fi guration

- 60

0.055

0.100

- 20

单身

特点

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

功率MOSFET

•低热阻封装

• 100 % R

和UIS测试

•符合RoHS指令2002/95 / EC

• AEC- Q101标准

TO-252

的漏极连接到选项卡

P沟道MOSFET

顶视图

订购信息

包

铅（ Pb），且无卤

TO-252

SQD19P06-60L-GE3

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续源电流（二极管传导）

漏电流脉冲

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

符号

, T

英镑

极限

- 60

± 20

- 20

- 11

- 25

- 80

- 24

- 55〜 + 175

°C

单位

热电阻额定值

参数

结到环境

结至外壳（漏）

笔记

一。包装有限。

B 。脉冲测试;脉冲宽度



300微秒，占空比



2 %.

Ç 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料）。

ð 。参数验证正在进行中。

印刷电路板安装

符号

thJA

thJC

极限

3.2

单位

° C / W

1/9

www.freescale.net.cn

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