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SQD25N15-52 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SQD25N15-52
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内容描述: 汽车N沟道150 V(D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 735 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQD25N15-52
汽车N沟道
150 V( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(  )在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
CON组fi guration
150
0.052
25
单身
D
特点
• TrenchFET
®
功率MOSFET
•低热阻封装
• 100 % R
g
和UIS测试
• AEC- Q101标准
•材料分类: 
对于合规的定义,请参见
www.freescale.net.cn
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
S
N沟道MOSFET
订购信息
铅( Pb),且无卤
TO-252
SQD25N15-52-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流(二极管传导)
a
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
150
± 20
25
16
50
63
30
45
107
35
- 55〜 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳(漏)
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
Ç 。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
50
1.4
单位
° C / W
1/9
www.freescale.net.cn