SQD50N04-5M6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SQD50N04-5M6
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内容描述：	汽车N沟道40 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 Â°C MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 531 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

SQD50N04-5m6

汽车N沟道

40 V （ D- S） 175℃ MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

（  ）在V

= 10 V

(A)

CON组fi guration

0.0056

单身

特点

•

TrenchFET

功率MOSFET

低热阻封装

AEC- Q101对外贸易资质网络编辑

100 % R

和UIS测试

材料分类：

对于合规的定义，请参见

www.freescale.net.cn

TO-252

的漏极连接到选项卡

顶视图

N沟道MOSFET

订购信息

包

铅（ Pb），且无卤

TO-252

SQD50N04-5m6-GE3

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续源电流（二极管传导）

漏电流脉冲

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

符号

, T

英镑

极限

± 20

200

- 55〜 + 175

°C

单位

热电阻额定值

参数

结到环境

结至外壳（漏）

笔记

一。包装有限。

B 。脉冲测试;脉冲宽度



300微秒，占空比



2 %.

Ç 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料）。

PCB

MOUNT

符号

thJA

thJC

极限

2.1

单位

° C / W

1/7

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