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SQR50N06-07L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SQR50N06-07L
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内容描述: 汽车N沟道60 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管脉冲
文件页数/大小: 8 页 / 693 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQR50N06-07L
汽车N沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(  )在V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
(  )在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
TO-252
倒车线DPAK
特点
60
0.0076
0.009
50
单身
D
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
•低热阻封装
• 100 % R
g
和UIS测试
• AEC- Q101标准
d
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订购信息
铅( Pb),且无卤
TO- 252倒车线DPAK
SQR50N06-07L-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
连续源电流(二极管传导)
a
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
50
50
200
48
115
136
45
- 55〜 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳(漏)
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
Ç 。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
ð 。参数验证正在进行中。
PCB
MOUNT
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
50
1.1
单位
° C / W
1/8
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