SUD19P06-60
P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 60
R
DS （ ON）
()
0.060在V
GS
= - 10 V
0.077在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
d
- 19
- 16.8
Q
g
（典型值）
26
特点
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 ％ UIS测试
•
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
•高边开关的全桥变换器
• DC / DC转换器，用于LCD显示器
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶部
意见
订货信息：
SUD19P06-60 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
SUD19P06-60 - GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流，单脉冲
重复性雪崩能量，单脉冲
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 60
± 20
- 18.3
- 8.19
- 30
- 22
24.2
38.5
c
2.3
B，C
- 55〜 150
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
b
最大结到外壳
注意事项：
一。占空比
1
%.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
Ç 。看到SOA曲线电压降额。
ð 。基于起来对T
C
= 25 °C.
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
17
45
2.7
最大
21
55
3.25
单位
° C / W
1/8
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
