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SUD30N03-30 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD30N03-30
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内容描述: N沟道30 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 360 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD30N03-30
N沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS ( ON)
(W)
0.030 @ V
GS
= 10 V
0.045 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"30
"25
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
顶视图
订单号:
SUD30N03-30
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
"30
"21
"40
30
50
3
a
-55至175
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面贴装4 “×4” FR4板。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
50
3.0
单位
° C / W
1/5
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