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型号: SUD35N10
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内容描述: N沟道100伏(D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 816 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD35N10-26P
N沟道
100 V( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
r
DS ( ON)
(Ω)
0.026在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
a
35
Q
g
(典型值)
31 NC
特点
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
•初级侧开关
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
G
D
S
顶视图
订货信息:
SUD35N10-26P -E3 (铅(Pb ) - 免费)
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 175 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
100
± 20
35
32
12
B,C
10
B,C
40
50
e
6.9
B,C
33
55
83
58
8.3
B,C
5.8
B,C
- 55〜 175
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
B,D
t
10 s
稳定状态
最大结到外壳
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
1.5
最大
18
1.8
单位
° C / W
注意事项:
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为50 ° C / W 。
Ë 。基于最大结温计算。套餐限制电流为50 A.
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