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SUD45P03-09 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD45P03-09
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内容描述: P沟道30 V (D -S )的MOSFET [P-Channel 30 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 464 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD45P03-09
P沟道30 V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.0087在V
GS
= - 10 V
0.0150在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 45
d
- 32
Q
g
(典型值)。
60
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
和UIS测试
应用
- 电源开关
•在高电流应用负载开关
• DC / DC转换
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息:
SUD45P03-09 - GE3 (铅( Pb),并且无卤素)
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 30
± 20
- 45
d
- 42.5
- 100
- 35
61
41.7
b
2.1
- 55〜 150
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境(印刷电路板安装)
c
结至外壳(漏)
注意事项:
一。占空比
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
Ç 。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
ð 。包装有限。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
60
3
单位
° C / W
1/8
www.freescale.net.cn