SUD50N024-09P
N沟道
22 V( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
24
c
特点
I
D
(A)
d
49
36
D
r
DS ( ON)
(W)
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
PWM优化的高效率
应用
D
高端同步降压型DC / DC
转变
−
的DeskTop
−
服务器
TO-252
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
S
订购信息: SUD50N024-09P
SUD50N024-09P -E3 (无铅)
N沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压脉冲
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
雪崩电流,单脉冲
雪崩能量,单脉冲
最大功率耗散
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS (脉冲)
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
24
C
22
"20
49d
34
d
100
4.3
29
42
6.5
a
39.5
−55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
19
40
3.1
最大
23
50
3.8
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面安装在FR4板,T
v
10秒。
B 。通过包装有限
Ç 。脉冲方式:T
A
= 105_C , 50纳秒, 300 kHz的工作频率
ð 。计算基于最大允许结温。套餐限制电流为25 A.
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