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    SUD50N02 参数 Datasheet PDF下载

    SUD50N02图片预览
    型号： SUD50N02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道20 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 623 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD50N02的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD50N02的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD50N02的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUD50N02的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUD50N02的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SUD50N02的Datasheet PDF文件第7页  
    SUD50N02-06P
    N沟道
    20 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    （25℃除非另有说明）
    100
    T
    C
    = - 55 °C
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    80
    25 °C
    125 °C
    0.008
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.006
    0.010
    60
    V
    GS
    = 6.3 V
    40
    R
    DS （ ON）
    0.004
    V
    GS
    = 10 V
    0.002
    20
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    0.000
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    跨
    3500
    3000
    C
    国际空间站
    Ç - 电容（pF ）
    2500
    2000
    1500
    C
    OSS
    1000
    C
    RSS
    500
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0
    0
    10
    导通电阻与漏电流
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    8
    V
    DS
    = 10 V
    I
    D
    = 50 A
    6
    4
    2
    8
    16
    24
    32
    40
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    电容
    1.6
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    V
    GS
    = 10
    V
    I
    D
    = 30 A
    1.4
    I
    S
    - 源电流（ A）
    100
    栅极电荷
    1.2
    T
    J
    = 150 °C
    10
    T
    J
    = 25 °C
    1.0
    0.8
    0.6
    - 50
    1
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    0.3
    0.6
    0.9
    1.2
    V
    SD
    - 源极到漏极
    电压
    (V)
    1.5
    导通电阻与结温
    源极 - 漏极二极管正向电压
    3/7
    www.freescale.net.cn

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