SUD50N04-07
N沟道
40 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 32 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 32 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 32 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175 °C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
民
40
1
典型值
最大
单位
3
± 100
1
50
150
V
nA
µA
A
65
0.006
0.0074
0.012
0.015
0.0085
20
57
2800
0.011
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
Ω
正向跨导
动态
b
输入电容
输出电容
a
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
320
190
50
75
pF
反向传输电容
总闸门
收费
c
收费
c
c
栅极 - 源
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
10
10
2.0
11
20
30
60
25
43
100
nC
Ω
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升
时间
c
关断DelayTime
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
c
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
b
c
V
DD
= 20 V ，R
L
= 0.4
Ω
I
D
≅
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
Ω
20
40
15
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25 °C)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
A
V
ns
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 30 A ， di / dt的= 100 A / μs的
0.90
30
1.50
45
反向恢复时间
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
Ç 。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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