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SUD50N04-8M8P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD50N04-8M8P
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内容描述: N沟道40 V (D -S )的MOSFET [N-Channel 40 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 521 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD50N04-8m8P
N沟道
40 V ( D- S)的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
R
DS ( ON)
(Ω)
0.0088在V
GS
= 10 V
0.0105在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
50
50
Q
g
(典型值)。
16 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % UIS测试
• 100 % R
g
经过测试
• PWM优化
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
TO-252
•液晶显示器背光逆变器
• DC / DC转换
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶部
意见
订货信息:
SUD50N04-8m8P - 4GE3 (铅( Pb),并且无卤素)
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
极限
40
± 20
50
a
44
14
b
11.2
b
100
40
2.6
b
30
45
48.1
30.8
3.1
b
2.0
b
- 55〜 150
单位
V
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到外壳
注意事项:
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
b
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
32
2.1
最大
40
2.6
单位
° C / W
1/9
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