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SUD50P08-25L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD50P08-25L
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内容描述: P沟道80V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [P-Channel 80V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 594 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD50P08-25L
P沟道
8
0V ( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 80
r
DS ( ON)
(Ω)
0.0252在V
GS
= - 10 V
0.029在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
a
- 50
- 47
Q
g
(典型值)
55 NC
特点
• TrenchFET
®
功率MOSFET
RoHS指令
柔顺
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息:
SUD50P08-25L -E3 (铅(Pb ) - 免费)
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 175 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 80
± 20
- 50
a
- 42.5
a
- 12.5
B,C
- 10.5
B,C
- 40
- 50
a
- 6.9
B,C
- 45
101
136
95
8.3
B,C
5.8
B,C
- 55〜 175
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B,D
最大结至外壳(漏)
注意事项:
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为40 ° C / W 。
t
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
0.85
最大
18
1.1
单位
° C / W
1/7
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