欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

TK40P03M1 参数 Datasheet PDF下载

TK40P03M1图片预览
型号: TK40P03M1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: MOSFET的硅N沟道MOS (U - MOSI ?? ± -H ) [MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 8 页 / 281 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号TK40P03M1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TK40P03M1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TK40P03M1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TK40P03M1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TK40P03M1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TK40P03M1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TK40P03M1的Datasheet PDF文件第8页  
TK40P03M1
MOSFET的
硅的N沟道MOS (U- MOS -H)
1.应用
DC- DC转换器
台式电脑
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
高速开关
低栅极电荷:Q
SW
= 5.7 NC (典型值)。
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 8.3毫欧(典型值)(V
GS
= 10 V)
低漏电流:I
DSS
= 10
µA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 30 V)
增强型: V
th
= 1.3〜 2.3 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.1 mA)的
3.包装和内部电路
1 :门
2 :漏极(散热器)
3 :源
DPAK
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T
c
= 25)
(注2 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
40
120
33
42
40
150
-55到150
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
1/8
www.freescale.net.cn