TK4P55D
硅N沟道MOS型（ π - MOSⅦ ）
开关稳压器的应用
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•
•
•
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.5
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳：
⎪Y
fs
⎪
= 2.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 550 V)
增强型： V
th
= 2.4 〜4.4 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
6.6
±
0.2
5.34
±
0.13
1.08±0.2
单位：mm
0.58MAX
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
0.07
±
0.07
1.52
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
550
±30
4
16
80
139
4
8
150
−55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1
1.
2.
2
3
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
门
漏
（HEAT
汇）
3.源
2.3
±
0.1
0.76
±
0.12
JEDEC
JEITA
东芝
⎯
⎯
2-7K1A
重量：0.58克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法”“ ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.56
125
单位
内部连接
2
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 15 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 4 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
3
1/5
www.freescale.net.cn
+0.25
−0.12
1.14MAX
1.01MAX
2.29
6.1
±
0.12
+0.4
10.0
−0.6
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
