TK4P60DA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TK4P60DA
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内容描述：	MOSFET的硅N沟道MOS （I ?? - ?? MOSI ²） [MOSFETs Silicon N-Channel MOS (Ï-MOSî²)]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	8 页 / 428 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

TK4P60DA

MOSFET的硅N沟道MOS （ π - MOS ）

1.应用

•

开关稳压器

2.特点

(1)

(2)

(3)

(4)

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 1.7

Ω

（典型值）（V

= 10 V)

高正向转移导纳： | Y

| = 2.2 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10

µA

（最大值）（Ⅴ

= 600 V)

增强型： V

= 2.4 〜4.4 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

3.包装和内部电路

1 ：门

2 ：漏极（散热器）

3 ：源

DPAK

4.绝对最大额定值（注）（T

= 25



除非另有规定编）

25

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

通道温度

储存温度

（注3）

= 25)

（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

600

±30

3.5

132

3.5

150

-55到150



单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

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