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    TK50P04M1 参数 Datasheet PDF下载

    TK50P04M1图片预览
    型号： TK50P04M1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET的硅N沟道MOS （U - MOSI ?? ± -H ） [MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 8 页 / 278 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号TK50P04M1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TK50P04M1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TK50P04M1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TK50P04M1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TK50P04M1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TK50P04M1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TK50P04M1的Datasheet PDF文件第8页  
    6，电气特性
    6.1 。静态特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    25
    特征
    栅极漏电流
    排水截止电流
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    符号
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） DSX
    V
    th
    R
    DS （ ON）
    测试条件
    V
    GS
    =
    ±20
    V, V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = 40 V, V
    GS
    = 0 V
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0 V
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = -20 V
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    - 0.5毫安
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 25 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 25 A
    民
    40
    25
    1.3
    典型值。
    7.8
    6.7
    最大
    ±0.1
    10
    2.3
    10.2
    8.7
    mΩ
    V
    单位
    µA
    6.2 。动态特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    25
    特征
    输入电容
    反向传输电容
    输出电容
    栅极电阻
    切换时间（上升时间）
    切换时间（导通时间）
    切换时间（下降时间）
    切换时间（关断时间）
    符号
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    C
    OSS
    r
    g
    t
    r
    t
    on
    t
    f
    t
    关闭
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 5兆赫
    参见图6.2.1 。
    测试条件
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1兆赫
    民
    典型值。
    2600
    110
    420
    2.5
    22
    29
    10
    77
    最大
    3.8
    Ω
    ns
    单位
    pF
    图。 6.2.1开关时间测试电路
    6.3 。栅极电荷特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    25
    特征
    总栅极电荷（栅极 - 源极加
    栅极 - 漏极）
    栅极 - 源极电荷1
    栅极 - 漏极电荷
    门开关充电
    符号
    Q
    g
    Q
    gs1
    Q
    gd
    Q
    SW
    测试条件
    V
    DD
    ≈
    32 V, V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 50 A
    V
    DD
    ≈
    32 V, V
    GS
    = 5 V，I
    D
    = 50 A
    V
    DD
    ≈
    32 V, V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 50 A
    民
    典型值。
    38
    20
    8.0
    5.7
    9.4
    最大
    单位
    nC
    25
    6.4 。源极 - 漏极特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    特征
    反向漏电流（脉冲电流）
    二极管的正向电压
    （注3）
    符号
    I
    DRP
    V
    DSF
    I
    DR
    = 50 A，V
    GS
    = 0 V
    测试条件
    民
    典型值。
    最大
    150
    -1.2
    单位
    A
    V
    注3 ：确保通道温度不超过150 。
    3/8
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