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型号: TK8P25DA
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内容描述: MOSFET的硅N沟道MOS (I ?? - ?? MOSI ²) [MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 335 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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TK8P25DA
MOSFET的
硅N沟道MOS ( π - MOS )
1.应用
开关稳压器
2.特点
(1)
(2)
(3)
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 0.41
(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
µA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 250 V)
增强型: V
th
= 1.5〜 3.5 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
3.包装和内部电路
1 :栅极(G)
2 :漏极(D )
3 :源极(S )
DPAK
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
反向漏电流(DC)的
反向漏电流(脉冲电流)
通道温度
储存温度
(T
c
= 25)
(注2 )
(注3)
(注1 )
(注1 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
I
DR
I
DRP
T
ch
T
英镑
等级
250
±20
7.5
30
55
45
7.5
7.5
30
150
-55到150
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
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