Bridge Diode
面実装型
Surface Mounting Device
D1UBA80
800V 1A
特長
• SMD
• 耐久性に優れ高信頼性
• 端子間 3.4mm
■外観図 OUTLINE
Package：SOPA-4
Unit : mm
Weight : 0.087g（typ.）
④
①
④
−
①
+
品名略号
Type No.
管理番号
（例）
Control No.
ロッ
ト記号
（例）
Date code
UA80
0916
③
②
6.2
∼
③
∼
②
Feature
• SMD
• High-Reliability
• Pin-distance 3.4mm for isolation
5.3
1.6
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
）
単½
Unit
℃
℃
V
A
A
A
2
s
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
品 名
Type No.
D1UBA80
−55∼150
150
800
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃， １素子½たりの規格値
per
diode
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta = 25℃
50Hz sine wave,
Resistance load, Ta = 25℃
1.0
0.8
30
3
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
）
V
μA
V
F
I
R
θjl
I
F =
0.4A,
熱抵抗
Thermal Resistance
θja
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM, パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
アルミナ基板実装
On alumina substrate
接合部・周囲間
Junction to Ambient
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
0.95
10
25
62.5
80
℃/W
18
（J534）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
