SBD Bridge
シングルインライン型
Single In-line Package
D20XBS6
60V 20A
特長
• 薄型 S
I
P パッケージ
• SBD ブリッジ
• ½ V
F
■外観図
OUTLINE
Package
：
5S
Unit : mm
Weight : 7.4g typ.）
（
品名
Type No.
管理番号
（例）
Control No.
30
ロッ
ト記号
（例） 4.6
Date code
D20XBS6
0264
20
＋
①
∼ ∼
② ③
−
④
+
∼
∼
−
Feature
• Thin-S
I
P
• SBD Bridge
• Low V
F
17.5
①
②
③
④
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表
RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
繰り返しせん頭サージ逆電圧
Repetitive Peak Surge Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
繰り返しせん頭サージ逆電力
Repetitive Peak Surge Reverse Power
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
V
RRSM
I
O
I
FSM
P
RRSM
Vdis
TOR
パルス幅0.5ms，duty 1/40
Pulse width 0.5ms, duty 1/40
品 名
Type No.
D20XBS6
−55∼150
150
60
65
20
2.1
200
660
2
0.8
単½
Unit
℃
℃
V
V
A
A
W
kV
N・m
フィン付き
Tc = 100℃
With heatsink
フィンなし
Ta = 27℃
Without heatsink
50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
パルス幅10μs，１素子½たりの規格値，Tj = 25℃
Pulse width 10
μ
s, per diode, Tj = 25℃
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended
torque : 0.5 N・m）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
接合容量
Junction Capacitance
熱抵抗
Thermal Resistance
V
F
I
R
Cj
θjc
θjl
θja
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
60V,
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
f
=
1MHz, V
R =
10V,
１素子½たりの規格値
per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・ 周囲間
Junction to Ambient
I
F =
10A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
0.63
8.0
370
1.5
5.0
25
V
mA
pF
℃/W
202
（J534-1）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
