Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
D25XB100
1000V 25A
特長
• 薄型 S
I
P パッケージ
• UL E142422
• 大電流容量
• 高耐圧・高
I
FSM
• 高放熱伝導性
■外観図 OUTLINE
Package:5S
Unit : mm
Weight : 7.1g typ.)
(
管理番号
(例)
Control No.
品名
Type No.
30
ロッ
ト記号
(例) 4.6
Date code
D25XB 100
0264
20
+
①
∼ ∼
② ③
−
④
+
∼
∼
−
Feature
•
•
•
•
•
Thin-S
I
P
UL E142422
Large
I
o
High Voltage・Large
I
FSM
High Thermal Radiation
①
②
③
④
17.5
外�½�図については新電元 Web サイト又は〈半導�½��½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格�� RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings(
指定のない場合
Tc=25℃/
unless otherwise specified
)
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
V
dis
TOR
フィン付き
Tc = 106℃
With heatsink
フィンなし
Without heatsink
Ta = 29℃
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
(推奨値:0.5 N・m)
(Recommended
torque : 0.5 N・m)
50Hz 正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
品 名
Type No.
D25XB100
−55∼150
150
1000
25
3.1
350
2.5
0.8
単�½�
Unit
℃
℃
V
A
A
k
V
N・m
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics(
指定のない場合
Tc=25℃/
unless otherwise specified
)
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
V
F
I
R
θjc
θjl
θja
熱抵抗
Thermal Resistance
パルス測定,1素子�½�たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM
,
パルス測定,1素子�½�たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間,フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間,フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・周囲間,フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
I
F =
12.5A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
1.05
10
0.8
5
23
V
μA
℃/W
92
(J534)