Rectifier Diode
面実装デバイス 単½型
Surface Mounting Device Single Diode
D4F60
600V 4A
特長
• 小型 SMD
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 高
I
FSM
■外観図 OUTLINE
Package：2F
カ½ードマーク
Cathode mark
Unit : mm
Weight : 0.16g typ.）
（
4FV
60
7D
①
4
②
＋①
② −
品名略号
Type No.
Feature
• Small SMD
• High-Reliability
• Large
I
FSM
ロッ
ト記号
（例）
級表示
（例） Date code
Class
7.6
2.8
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
Tl = 68℃
品 名
Type No.
D4F60
−55∼150
150
600
4
1.85
1.3
200
150
単½
Unit
℃
℃
V
出力電流
Average Rectified Forward Current
I
O
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
I
FSM
I
2
t
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
Ta = 25℃
On glass-epoxy substrate
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
Ta = 25℃
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
A
A
A
2
s
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
V
F
I
R
θjl
熱抵抗
Thermal Resistance
θja
パルス測定
Pulse measurement
V
R =
V
RM
,
パルス測定
Pulse measurement
接合部・リード間
Junction to Lead
アルミナ基板実装
On alumina substrate
接合部・周囲間
Junction to Ambient
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
I
F =
4A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
0.95
10
23
80
115
V
μA
℃/W
204
（J534）
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