SBD Bridge
シングルインライン型
Single In-line Package
D4SBS4
40V 4A
特長
• 薄型 S
I
P パッケージ
• SBD ブリッジ
• ½ V
F
■外観図
OUTLINE
Package
：
3S
Unit : mm
Weight : 3.9g typ.）
（
品名
Type No.
管理番号（例）
Control No.
25
ロッ
ト記号
（例）
4.6
Date code
0264
D4SB S4
＋
①
∼ ∼
② ③
−
④
+
15
Feature
• Thin-S
I
P
• SBD Bridge
• Low V
F
∼
∼
−
17.5
①
②
③
④
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表
RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
繰り返しせん頭サージ逆電圧
Repetitive Peak Surge Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
繰り返しせん頭サージ逆電力
Repetitive Peak Surge Reverse Power
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
V
RRSM
I
O
I
FSM
P
RRSM
V
dis
TOR
パルス幅0.5ms, duty 1/40
Pulse width 0.5ms, duty 1/40
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
フィン付き
With heatsink
フィンなし
Without heatsink
品 名
Type No.
D4SBS4
−55∼150
150
40
45
単½
Unit
℃
℃
V
V
A
A
W
k
V
Tc = 116℃
Ta = 33℃
4
2.3
60
160
2
0.8
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj = 25℃
パルス幅10μs, １素子½たり，Tj = 25℃
Pulse width 10
μ
s, per diode, Tj = 25℃
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended
torque : 0.5 N・m）
N・m
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
接合容量
Junction Capacitance
V
F
I
R
C
j
θjc
θjl
θja
熱抵抗
Thermal Resistance
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM
,
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
１素子½たりの規格値
f
=
1MH
Z
, V
R =
10V,
per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間，フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・周囲間，フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
I
F =
2A,
MAX
MAX
TYP
MAX
MAX
MAX
0.55
2
95
5.5
6
40
V
mA
pF
℃/W
188
（J534-1）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
