F5 0 3
3 W6 C
■特性図
出力特性
７
０
６
０
C A A T RS I DA R MS
H R C E ITC IG A
伝達特性
ドレイン �½ース間オン抵抗─
・
ドレイン電流
Typical Output Characteristics
１Ｖ
０
８
Ｖ
６
Ｖ
Tc=25℃
TYP
Pulse measurement
Transfer Characteristics
７
０
Ｔ =−
５
�½� ５℃
２℃
５
０℃
１０
６
０
５
℃
１
０
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance R
DS(ON)
〔Ω〕
１
０
５
２
１
０
．
５
０
．
２
０
．
１
V
GS
＝ ０V
１
Tc＝ ５℃
２
TYP
Pulse measurement
Drain Current I
D
〔A〕
Drain Current I
D
〔A〕
５
０
４
０
３
０
２
０
１
０
０
０
５
１
０
１
５
５
Ｖ
５
０
４
０
３
０
２
０
１
０
０
０
５
１
０
１
５
V
DS
=20V
TYP
Pulse measurement
２
０
０５
．
０
０２
．
０
０１
．
０
０ ０
． ．
１ ２
０
．
５
１
２
５
１
０
２
０
５７
００
ＧS
V
ＧS
=４
Ｖ
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
２
０
Gate Source Voltage V
GS
〔V〕
Drain Current I
D
〔A〕
ドレイン �½ース間オン抵抗─ケース温度
・
ゲー し
ト きい値電圧─ケース温度
安全動�½�領域
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Static Drain-Source On-static Resistance R
DS（ON）
〔Ω〕
１
０
Pulse measurement
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
５
Pulse measurement
Safe Operating Area
１５
０
７
０
Gate Threshold Voltage Ｖ
TH
〔Ｖ〕
Drain Current I
D
〔A〕
１
４
３
５
１
０
10μs
I
D
=1 ５A
=1 .
７
０．
１
３
（
on）
R
DS on
）
Restricted
space
２
100μs
200μs
1ms
10ms
DC
０．
０
１
V
GS
＝10V
Pulse test
TYP
１０
０
１０
５
１
１
V
DS
＝ ０V
１
I
D
=２mA
TYP
−５
５
０． １
０
０
−５
５
Case Ｔemperature Tc
〔℃〕
０
５
０
０
Case Temperature Tc
〔℃〕
０
５
０
１０
０
１０
５
０
．
１
０
Tc＝ ５℃
２
Single pulse
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
１
０
１０
０
６０
０
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
Transient Thermal Impedance
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
１
０
Capacitance Characteristics
１００
０００
Power Derating - Case Temperature
１０
０
θjc
θjc
１
Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕
１００
００
Power Derating
〔%〕
Ｃ�½�
�½��½�
８
０
１０
００
Ｃo �½�
�½�
６
０
０.１
１０
０
Ｃr �½�
�½�
１
０
f＝
１MHz
Tc＝ ５℃
２
TYP
１
０
２
０
４
０
０.０
１
２
０
０.０ １
-５
０
１
０ １
-４
０
１
-３
０
Time t
〔s〕
１
-２
０
１
-１
０
１
０
０
１
１
０
１
２
０
Drain Source Voltage V
DS
〔Ｖ〕
４
０
６
０
８
０
１０
０
０
０
２
５
Case Temperature Tc〔℃〕
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
ゲー
トチャージ特性
Gate Charge Characteristics
５０
０
I
D
=３
５A
TYP
２
０
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
４０
０
１
５
３０
０
V
DD
=４ ０
=４ Ｖ
０
２０
０Ｖ
１０
０Ｖ
V
ＧS
ＧS
１
０
２０
０
５
１０
０
０
０
６
０
Total Gate Charge Qg
〔nC〕
１０
２
１０
８
２０
４
０
３０
０
Gate Source Voltage V
GS
〔V〕
V
DS
＊ Sn wa e 5H で測定しています。
ie v は 0 z
＊
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（
MO F T 2 1 .6
）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
