S60JC10V
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
順方向特性
順電力損失曲線
せん頭サージ順電流耐量
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
Peak Surge Forward Current Capability
１００
１００
７００
Sine wave
IO
０
５０
tp
６００
D＝tp/T
DCC
８０
６０
４０
２０
０
T
１０ms１０ms
２０
１０
５
D＝０．８８
１cycle
Tj＝１５０℃
５００
０．５５
Non-repetitive
Tj＝２５℃
SIN
０．．３３
４００
３００
２００
１００
０
０．．２２
０．１１
０．００５
Tc＝１５０℃（MAX）
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝ ２５℃（MAX）
Tc＝ ２５℃（TYP）
２
１
０５.
Pulse measurement
０２.
０１.
Per diode
１．５
０
０．５
１
２
０
２０
４０
６０
８０
１００
１
２
５
１０
２０
５０
１００
Forward Voltage VF〔V〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Number of Cycles 〔cycle〕
逆方向特性
逆電力損失曲線
接合容量
Junction Capacitance
Reverse Current
Reverse Power Dissipation
１０００
７０
０
１００００
f＝１MHz
V
R
Tc＝２５℃
TYP
５０００
DCC
１００
６０
５０
４０
３０
２０
１０
０
tp
Per diode
D＝tp/T
D＝０．．０５
０．１１
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝１２５℃（TYP）
Tc＝１００℃（TYP）
T
２０００
Tj＝１５０℃
１０
０．２２
０．３３
１０００
１
５００
Tc＝ ７５℃（TYP）
Tc＝ ５０℃（TYP）
２００
０．１
０．５５
１００
０．０１
Tc＝ ２５℃（TYP）
５０
SINN
０．８８
０．００１
Pulse measurement
Per diode
２０
０．０
０
０１
０
１０
２０
４０
６０
８０
１００
０
２０
４０
６０
８０
１００
１２０
０．１ ０．２
０．５
１
２
５
１０ ２０
５０ １００
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
ディレーティングカーブ
Tc-Io
I
O
Derating Curve Tc-Io
０
０
VR
１２０
VR＝５０V
tp
D＝tp/T
T
１００
DDCC
DD＝＝００．．８８
８０
００．．５５
SSIINN
６０
００．．３３
００．．２２
４０
００．．１１
００．．００５５
２０
０
０
２０
４０
６０
８０ １００ １２０ １４０ １６０
Case Temperature Tc 〔℃〕
＊Sinewaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsinewaveisusedformeasurements.
（J533-P〈2010.06〉）
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