Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
UD4KB80
800V 4A
特長
• 薄型 S
I
P パッケージ
• UL E142422
• 高耐圧・高
I
FSM
■外観図 OUTLINE
Package：D3K
Unit : mm
Weight : 1.42（typ.）
13.8
品名略号
Type No.
管理番号
（例）
Control No.
3.1
U4KB 6769
10.8
ロッ
ト記号
（例）
Date code
＋ ∼
∼ ＋
Feature
• Compact-S
I
P
• UL E142422
• High Voltage・Large
I
FSM
13.2
①
＋
② ③
∼ ∼
④
−
①
②
③
④
外�½�図については新電元 Web サイト又は〈半導�½��½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
V
dis
TOR
フィンなし
Without heatsink
フィン付き
With heatsink
60Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj=25℃
60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
3ms≦t＜8.3ms，Tj=25℃， １素子�½�たりの規格値
per diode
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended
torque : 0.5 N・m）
60Hz 正弦波，抵抗負荷
60Hz sine wave,
Resistance load
品 名
Type No.
UD4KB80
−55∼150
150
800
単�½�
Unit
℃
℃
V
A
A
A
2
s
k
V
Ta = 30℃
Tc = 138℃
1.3
4.0
135
75
2.0
0.8
N・m
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
V
F
I
R
θjc
熱抵抗
Thermal Resistance
θja
θjl
パルス測定，１素子�½�たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
800V,
パルス測定，１素子�½�たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to case, With heatsink
接合部・周囲間，フィンなし
Junction to ambient, Without heatsink
接合部・リード間，フィンな��
Junction to lead, Without heatsink
I
F =
2A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
1.00
10
1.5
55
15
V
μA
℃/W
60
（J534）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
