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    2SD1022 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1022图片预览
    型号： 2SD1022
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 达林顿晶体管（ NPN 5A ） [Darlington Transistor(5A NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管达林顿晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 278 K
    品牌： SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
     浏览型号2SD1022的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1022的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1022的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SD1022的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SD1022的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SD1022的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SD1022的Datasheet PDF文件第8页  
    新电元
    达林顿晶体管
    2SD1022
    (T5L10)
    5A NPN
    外形尺寸
    案例： TO- 220
    单位：mm
    评级
    .Absolute最大额定值
    项
    储存温度
    结温
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流DC
    集电极电流峰值
    基极电流DC
    基极电流峰值
    总晶体管耗散
    安装力矩
    符号
    TSTG
    Tj
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    I
    BP
    P
    T
    器
    条件
    TC = 25 ？
    (Recommended torque : 0.3N�½�m）
    评级
    -55∼+150
    +150
    100
    100
    7
    5
    8
    0.5
    1
    30
    0.5
    单位
    ℃
    ℃
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    W
    N�½�m
    ●电气特性（ TC = 25 ℃ ）
    项
    符号
    收藏家Cuto FF电流
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    发射Cuto FF电流
    I
    EBO
    直流电流增益
    h
    FE
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    热阻
    跃迁频率
    启动时间
    贮存时间
    下降时间
    条件
    V
    CB
    = 100V
    V
    CE
    = 100V
    V
    EB
    = 7V
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    = 3A
    I
    C
    = 3A
    I
    B
    = 3毫安
    结到外壳
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 0.5A
    I
    C
    = 5A
    I
    B1
    = I
    B2
    = 5毫安
    R
    L
    = 5Ω
    V
    BB2
    = 4V
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    θJC
    f
    T
    吨
    ts
    tf
    评级
    单位
    最大0.1
    mA
    最大0.1
    最多5
    mA
    闽1500
    最大30000
    最大1.5
    V
    最大2.0
    V
    最高4.17 ℃ / W
    TYP 20
    兆赫
    MAX 2
    最多5
    最多3
    μs
    版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd

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