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2SD1793 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1793
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内容描述: 达林顿晶体管( 10A NPN ) [Darlington Transistor(10A NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管斩波器局域网
文件页数/大小: 9 页 / 316 K
品牌: SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
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新电元
达林顿晶体管
2SD1793
(TP10L10)
10A NPN
外形尺寸
案例: ITO -220
单位:mm
评级
.Absolute最大额定值
储存温度
结温
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流DC
集电极电流峰值
基极电流DC
基极电流峰值
总晶体管耗散
介电强度
安装力矩
符号
TSTG
Tj
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
VDIS
条件
TC = 25 ?
终端的情况下AC 1分钟
(Recommended torque : 0.3N�½�m)
评级
-55∼+150
+150
100
100
7
10
15
0.5
1.0
50
2
0.5
评级
最大0.1
最大0.1
最多5
闽1500
最大30000
最大1.5
最大2.0
最大2.5
TYP 20
MAX 2
最高12
最多5
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
kV
N�½�m
单位
mA
mA
●电气特性( TC = 25 ℃ )
符号
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
热阻
跃迁频率
启动时间
贮存时间
下降时间
条件
V
CB
= 100V
V
CE
= 100V
V
EB
= 7V
V
CE
= 3V ,我
C
= 5A
I
C
= 5A
I
B
= 10毫安
结到外壳
V
CE
= 10V ,我
C
= 1A
I
C
= 5A
I
B1
= 5毫安,我
B2
= 10毫安
R
L
= 6Ω
V
BB2
= 4V
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
θJC
f
T
ts
tf
V
V
℃/W
兆赫
μs
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd