VZ系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ?
项
符号
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
Forward Tran�½�conductance
g
fs
Static Drain-Source On-�½�tate Resistance
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
V
TH
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
θJC
热阻
Q
g
总栅极电荷
C
国际空间站
输入电容
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
t
关闭
打开-O FF时间
条件
2SK2490 ( F10F18VZ )
分钟。
180
典型值。
马克斯。
250
±0.1
3.0
2.0
7.0
0.17
3.0
单位
V
μA
S
Ω
V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
=
180V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
= 5A ,V
DS
=
10V
I
D
= 5A ,V
GS
=
10V
I
D
=
1mA,
V
DS
=
10V
I
S
= 5A ,V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
=
150V,
V
GS
=
10V,
I
D
=
10A
V
DS
=
10V,
V
GS
= 0V , F =
1MH
Z
I
D
= 5A ,V
GS
=
10V,
R
L
= 20Ω
25
720
80
280
50
140
0.25
4.0
1.5
3.12
℃/W
nC
pF
100
280
ns
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