VX - 2系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ?
项
符号
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
Forward Tran�½�conductance
g
fs
Static Drain-Source On-�½�tate Resistance
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
V
TH
V
SD
源极 - 漏极二极管Forwade电压
θJC
The�½�mal Resistance
Q
g
总栅极电荷
C
国际空间站
输入电容
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
t
关闭
打开-O FF时间
条件
2SK2564 ( F8F60VX2 )
分钟。
600
典型值。
马克斯。
250
±0.1
2.4
2.5
5.5
0.9
3.0
1.2
3.5
1.5
2.5
单位
V
μA
S
Ω
V
℃/W
nC
pF
80
290
ns
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
= 4A ,V
DS
=
10V
I
D
= 4A ,V
GS
=
10V
I
D
=
1mA,
V
DS
=
10V
I
S
= 4A ,V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
= 400V, V
GS
=
10V,
I
D
= 8A
V
DS
=
10V,
V
GS
= 0V , F =
1MH
Z
I
D
= 4A ,R
L
= 37.5Ω, V
GS
=
10V
42
1130
85
245
55
195
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