SBD桥
シングルインライン型
单列直插式封装
D4SBS4
40V 4A
特長
• 薄型 S
I
P パッケージ
• SBDブリッジ
= ＆ frac12 ; V
F
■外観図
概要
包
：
3S
单位：mm
重量： 3.9克典型值） 。
（
品名
型号
管理番号（例）
控制号
25
ロッ
ト記号
（例）
4.6
日期代码
0264
D4SB S4
＋
①
∼ ∼
② ③
−
④
+
15
特征
•薄-S
I
P
• SBD桥
•低V
F
∼
∼
−
17.5
①
②
③
④
外＆ frac12 ;図については新电元的Webサイト又は\u003c半导＆ frac12 ;＆ frac12 ;品一覧表\u003eをご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
对于外形尺寸的详细信息，请访问我们的网站或半导体
简单的目录。作为标记，请参阅本说明书的“标记，
终端连接“
.
■定格表
评级
項 目
项
保存温度
储存温度
接合部温度
工作结温
せん頭逆電圧
最大反向电压
繰り返しせん頭サージ逆電圧
重复峰值浪涌电压
出力電流
平均正向电流整流
せん頭サージ順電流
峰值正向电流浪涌
繰り返しせん頭サージ逆電力
重复峰值浪涌反向功率
絶縁耐圧
介电强度
締め付けトルク
安装力矩
記号
条 件
符号条件
T
英镑
T
j
V
RM
V
RRSM
I
O
I
FSM
P
RRSM
V
DIS
器
パルス幅为0.5ms ，占空比1/40
脉冲宽度0.5ms ，占空比1/40
50Hz的正弦波，抵抗负荷
50Hz正弦波，
阻性负载
フィン付き
带散热器
フィンなし
无需散热器
品 名
型号
D4SBS4
−55∼150
150
40
45
単½
单位
℃
℃
V
V
A
A
W
k
V
TC = 116 ℃
TA = 33 ℃
4
2.3
60
160
2
0.8
50Hz的正弦波，非缲り返し1サイクルせん头値， TJ = 25 ℃
50Hz正弦波，不重复1周期峰值， TJ = 25 ℃
パルス幅为10μs ， 1素子＆ frac12 ;たり， TJ = 25 ℃
脉冲宽度10
μ
S，每个二极管， TJ = 25 ℃
に加わる。また， ③の交流成分が④へ
终端的情况下， AC 1分钟
（推奨値： 0.5 N· M）
（推荐
扭矩： 0.5 N· M）
N·m的
順電圧
正向电压
逆電流
反向电流
接合容量
结电容
V
F
I
R
C
j
θJC
θJL
θJA
熱抵抗
热阻
パルス測定，１素子½たりの規格値
脉冲测量，每二极管
V
R =
V
RM
,
パルス測定，１素子½たりの規格値
脉冲测量，每二极管
１素子½たりの規格値
f
=
1MH
Z
, V
R =
10V,
每二极管
接合部・ケース間，フィン付き
结到外壳，带散热器
接合部・リード間，フィンなし
交界处领导，没有散热片
接合部・周囲間，フィンなし
结点到环境，没有散热片
I
F =
2A,
最大
最大
典型值
最大
最大
最大
0.55
2
95
5.5
6
40
V
mA
pF
℃/W
188
（J534-1）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
