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HYB5117800BSJ-50 参数 Datasheet PDF下载

HYB5117800BSJ-50图片预览
型号: HYB5117800BSJ-50
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内容描述: 2M ×8 - 位动态RAM 2K刷新 [2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 180 K
品牌: SIEMENS [ Siemens Semiconductor Group ]
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2M
×
8 - 位动态随机存储器
2K刷新
(快页模式)
先进的信息
• 2 097 152字×8位的组织
= 0至70
°C
工作温度
•快速页模式操作
•性能:
-50
-60
60
15
30
104
40
ns
ns
ns
ns
ns
HYB 5117800 / BSJ -50 / -60
HYB 3117800BSJ -50 / -60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
84
35
•功耗:
HYB5117800
-50
电源
活跃
TTL待机
CMOS待机
440
-60
5
±
10%
385
11
5.5
HYB3117800
-50
288
-60
3.3
±
0.3 V
252
7.2
3.6
mW
mW
mW
•读,写,读 - 修改 - 写, CAS先于RAS的刷新, RAS只刷新,刷新隐患
和测试模式
•所有输入,输出及钟表充分TTL ( 5 V版本)和LV- TTL (3.3V版本)兼容
• 2048刷新周期/ 32毫秒( 2K刷新)
•塑料包装:
P- SOJ - 28-3 400万
半导体集团
1
1998-10-01