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S-1000N34-N4T1G 参数 Datasheet PDF下载

S-1000N34-N4T1G图片预览
型号: S-1000N34-N4T1G
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内容描述: 超小型高精度电压检测器 [ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 38 页 / 493 K
品牌: SII [ SEIKO INSTRUMENTS INC ]
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超小型高精度电压检测器
S- 1000系列
2. CMOS输出产品
表10
Rev.2.3
_00
(大
=
25
°
C除非另有说明)
检测电压
*1
滞后幅度
消耗电流
工作电压
输出电流
符号
V
DET
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
V
DET (S )
×
1.01
V
DET
×
0.07
900
测量
单位
换货
电路
V
V
nA
nA
V
mA
mA
1
1
2
2
1
3
4
V
HYS
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DET (S )
V
DET (S )
×
0.99
V
DET
V
DET
×
0.03
×
0.05
V
DD
= −
V
DET (S )
+
1.5 V S- 1000C15 39
350
V
DD
=
5.5 V
S- 1000C40 46
0.95
350
2.55
2.76
900
5.5
响应时间
t
PLH
60
µ
s
1
∆−V
DET
检测电压
PPM /
Ta
= −
40〜
+
85
°
C
±
100
±
350
1
*2
ΔTA • -V
DET
温度COEF网络cient
°
C
*1.
V
DET
:实际检测电压值,
V
DET (S )
:设定检测电压值(检测电压的中心值
不等
表2
.)
*2.
温度变化率的检测电压[毫伏/ ℃]是通过使用下面的等式计算。
输出晶体管,
N沟道,V
DS
=
0.5 V, V
DD
=
1.2 V
输出晶体管,
PCH ,V
DS
=
0.5 V, V
DD
=
5.5 V
1.36
1.71
∆ −
V
DET
[
毫伏/
°
C
]
*1
= −
V
DET (S )
(
典型值。
)
[
V
]
*2
× ∆ −
V
DET
[
PPM /
°
C
]
*3
÷
1000
Ta
V
DET
Ta
*1.
检测电压的温度变化率
*2.
设定检测电压
*3.
检测电压的温度系数
10
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