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    S-80935CLMC-G65T2G 参数 Datasheet PDF下载

    S-80935CLMC-G65T2G图片预览
    型号： S-80935CLMC-G65T2G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 内置延迟电路（外部设定延迟时间）超小型高精度电压检测器 [ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR WITH DELAY CIRCUIT (EXTERNAL DELAY TIME SETTING)]
    分类和应用： 光电二极管
    文件页数/大小： 36 页 / 539 K
    品牌： SII [ SEIKO INSTRUMENTS INC ]
     浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第10页浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第11页浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第12页浏览型号S-80935CLMC-G65T2G的Datasheet PDF文件第13页  
    内置延迟电路（外部设定延迟时间）超小型高精度电压检测器
    Rev.3.3
    _00
    S- 809xxC系列
    2. CMOS输出产品
    表8
    项
    检测电压
    *1
    滞后幅度
    符号
    −V
    DET
    V
    HYS
    条件
    —
    S- 80913至14
    S- 80915 60
    消耗电流
    I
    SS
    V
    DD
    =2.0
    V
    V
    DD
    =3.5
    V
    V
    DD
    =4.5
    V
    V
    DD
    =6.0
    V
    V
    DD
    =7.5
    V
    S- 80913至14
    S- 80915 26
    S- 80927 39
    S- 80940 54
    S- 80955 60
    （ TA = 25 ° C除非另有说明）
    TEST
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    电路
    −V
    DET （S ）
    −V
    DET （S ）
    −V
    DET （S ）
    V
    1
    ×0.98
    ×1.02
    −V
    DET
    −V
    DET
    −V
    DET
    ×0.03
    ×0.05
    ×0.08
    −V
    DET
    −V
    DET
    −V
    DET
    ×0.03
    ×0.05
    ×0.07
    1.0
    —
    2.5
    2
    μA
    1.1
    —
    2.8
    1.2
    —
    3.0
    1.3
    —
    3.3
    1.4
    —
    3.5
    0.7
    —
    10.0
    V
    1
    0.23
    0.59
    2.88
    1.43
    1.68
    2.08
    2.7
    18
    0.64
    1.36
    4.98
    2.39
    2.78
    3.42
    3.6
    24
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    4.5
    30
    ms
    4
    5
    mA
    3
    工作电压
    输出电流
    V
    DD
    I
    OUT
    延迟时间
    t
    D
    —
    输出晶体管，V
    DD
    =0.95
    V
    N沟道，V
    DS
    =0.5
    V S- 80913至14
    V
    DD
    =1.2
    V
    S- 80915 60
    V
    DD
    =2.4
    V
    S- 80927 60
    输出晶体管，V
    DD
    =4.8
    V
    PCH ，V
    DS
    =0.5
    V S- 80913 39
    V
    DD
    =6.0
    V
    S- 80940 54
    V
    DD
    =8.4
    V
    S- 80955 60
    V
    DD
    =2.0
    V
    C
    D
    =4.7
    nF
    S- 80913至14
    V
    DD
    =3.5
    V
    S- 80915 26
    V
    DD
    =4.5
    V
    S- 80927 39
    V
    DD
    =6.0
    V
    S- 80940 54
    V
    DD
    =7.5
    V
    S- 80955 60
    Δ −
    V
    DET
    PPM /
    检测电压
    —
    1
    ±100
    ±350
    TA = -40 ° C至
    +85°C
    *2
    °C
    温度COEF网络cient
    Δ
    Ta
    • −
    V
    DET
    *1.
    −V
    DET
    :
    实际的检测电压，
    −V
    DET （S ）
    :
    设定检测电压（检测电压范围的中间值
    表2 ）
    *2.
    温度变化率的检测电压
    [毫伏/ ° C]
    通过使用以下等式计算。
    Δ −
    V
    DET
    [
    毫伏/
    °
    C
    ]
    *1
    = −
    V
    DET
    (
    典型值。
    )
    [
    V
    ]
    *2
    × Δ −
    V
    DET
    [
    PPM /
    °
    C
    ]
    *3
    ÷
    1000
    Δ
    Ta
    Δ
    Ta
    •
    −
    V
    DET
    *1.
    检测电压的温度变化率
    *2.
    设定检测电压
    *3.
    检测电压的温度系数
    精工电子有限公司
    9

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