电池保护IC 1串4节串联用电池（二级保护）
Rev.3.3
_00
S- 8244系列
测试电路
(1)
测试条件1 ，测定电路1
条件：
•
设置开关1和2为OFF CMOS输出产品。
•
将开关设置为ON ，切换为OFF N沟道开漏输出模式。
•
将开关设置为OFF，开关2为ON P沟道开漏输出模式。
定义：
•
设V1 ， V2 ， V3和V4 3.5 V后，逐步增加V1 ：
过充电检测电压1 （V
CU1
）被定义为V1的电压时，CO变为“H”时（为
CMOS输出动态“ H”或者N沟道开漏）或“L” （在CMOS输出动态“L”或者是Pch开路
漏） 。
•
之后，缓慢降低V1 ：
过充电滞后电压（V
CD1
）被定义为V之间的差
CU1
和V1的时候有限公司
变为“ L” （在CMOS输出动态“H”或者N沟道开漏）或“H” （在CMOS输出动态
“L”或P沟道开漏） 。
(2)
测试条件2 ，测定电路1
条件：
•
设置开关1和2为OFF CMOS输出产品。
•
将开关设置为ON ，切换为OFF N沟道开漏输出模式。
•
将开关设置为OFF，开关2为ON P沟道开漏输出模式。
定义：
•
设V1 ， V2 ， V3和V4 3.5 V后，逐渐增加V2 。
过充电检测电压2 （V
CU2
）被定义为V2的电压时，CO变为“H”时（为
CMOS输出动态“ H”或者N沟道开漏）或“L” （在CMOS输出动态“L”或者是Pch开路
漏） 。
•
之后，缓慢降低V2 。
过充电滞后电压（V
CD2
）被定义为V之间的差
CU2
和V2时， CO
变为“ L” （在CMOS输出动态“H”或者N沟道开漏）或“H” （在CMOS输出动态
“L”或P沟道开漏） 。
(3)
测试条件3 ，测定电路1
条件：
•
设置开关1和2为OFF CMOS输出产品。
•
将开关设置为ON ，切换为OFF N沟道开漏输出模式。
•
将开关设置为OFF，开关2为ON P沟道开漏输出模式。
定义：
•
设V1 ， V2 ， V3和V4 3.5 V后，逐渐增加V3 。
过充电检测电压3 （V
CU3
）被定义为V3的电压时，CO变为“H”时（为
CMOS输出动态“ H”或者N沟道开漏）或“L” （在CMOS输出动态“L”或者是Pch开路
漏） 。
•
接下来逐渐减少V3 。
过充电滞后电压（V
CD3
）被定义为V之间的差
CU3
和V3时， CO
变为“ L” （在CMOS输出动态“H”或者N沟道开漏）或“H” （在CMOS输出动态
“L”或P沟道开漏） 。
8
精工电子有限公司
SII [ SEIKO INSTRUMENTS INC ]
