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S-8261AAJBD-G2J-TF 参数 Datasheet PDF下载

S-8261AAJBD-G2J-TF图片预览
型号: S-8261AAJBD-G2J-TF
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内容描述: 电池保护IC ,电池组 [BATTERY PROTECTION IC FOR SINGLE-CELL PACK]
分类和应用: 电池
文件页数/大小: 36 页 / 706 K
品牌: SII [ SEIKO INSTRUMENTS INC ]
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Rev.1.9
_00
电气特性
电池保护IC ,电池组
S- 8261系列
1.除检测延迟时间( 25
°C)
表5
参数
[检测电压]
过充电检测电压
V
CU
=
3.9 V至4.4 V,5 mV的步
符号
TEST
条件
1
备注
(大
=
25
°C
除非另有规定编)
TEST
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
电路
V
CU
V
CU
−0.025
V
CU
V
CU
−0.030
V
HC
V
HC
−0.025
V
DL
V
DL
−0.050
V
HD
V
HD
−0.050
V
IOV1
V
IOV1
−0.015
0.4
0.5
0.9
−1.0
1.5
1.5
1.2
−0.7
3.5
5
5
5
V
CU
+0.025
V
CU
+0.030
V
HC
+0.025
V
DL
+0.050
V
HD
+0.050
V
IOV1
+0.015
0.6
1.5
−0.4
8
28
V
1
V
CU
Ta
= −5 °C
55
°C
*1
过充电滞后电压
V
HC
V
HC
=
0.0 V至0.4 V, 50 mV的步
过放电检测电压
V
DL
V
DL
=
2.0 V至3.0 V, 10 mV的步
过放电滞后电压
V
HD
V
HD
=
0.0 V至0.7 V, 100 mV的步
1过电流检测电压
V
IOV1
V
IOV1
=
0.05 V至0.3 V , 10 mV的步
2过电流检测电压
V
IOV2
负载短路检测
V
电压
充电器检测电压
V
CHA
[输入电压,工作电压]
VDD之间的工作电压
V
DSOP1
和Vss
VDD之间的工作电压
V
DSOP2
和VM
[消耗电流]
消耗电流在正常
I
OPE
手术
休眠时消耗电流
I
PDN
[输出阻抗]
CO端子电阻“ H”
R
COH
CO端子电阻“ L”
R
COL
DO端子电阻“ H”
R
DOH
1
2
2
3
3
3
4
5
5
7
7
8
内部电路工作电压
内部电路工作电压
V
V
V
V
V
V
V
V
V
1
2
2
2
2
2
2
2
2
4
4
4
V
DD
=
3.5 V, V
VM
=
0 V
V
DD
=
V
VM
=
1.5 V
V
CO
=
3.0 V, V
DD
=
3.5 V, V
VM
=
0 V
V
CO
=
0.5 V, V
DD
=
4.5 V, V
VM
=
0 V
V
DO
=
3.0 V, V
DD
=
3.5 V, V
VM
=
0 V
1.0
2.5
2.5
2.5
7.0
0.1
10
10
10
µA
µA
kΩ
kΩ
kΩ
DO端子电阻“ L”
R
DOL
8
2.5
5
10
4
V
DO
=
0.5 V, V
DD
=
V
VM
=
1.8 V
kΩ
[ VM内部电阻]
VM间内部电阻
R
VMD
6
100
300
900
3
V
DD
=
1.8 V, V
VM
=
0 V
kΩ
和VDD
VM间内部电阻
R
虚拟机
6
10
20
40
3
V
DD
=
3.5 V, V
VM
=
1.0 V
kΩ
和Vss
[ 0 V电池充电功能]
0 V电池充电开始充电器
V
0CHA
11
0 V电池充电可用
1.2
V
2
电压
0 V电池充电禁止电池
V
0INH
12
0 V电池充电不可用
0.5
V
2
电压
*1.
由于产品不能筛选在高和低的温度下,本说明书中对于此温度范围
由设计,而不是在生产测试。
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