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    S-8261ABAMD-G3A-T2 参数 Datasheet PDF下载

    S-8261ABAMD-G3A-T2图片预览
    型号： S-8261ABAMD-G3A-T2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 电池保护IC ，电池组 [BATTERY PROTECTION IC FOR SINGLE-CELL PACK]
    分类和应用： 电池光电二极管
    文件页数/大小： 36 页 / 706 K
    品牌： SII [ SEIKO INSTRUMENTS INC ]
     浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第9页浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第11页浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第12页浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第13页浏览型号S-8261ABAMD-G3A-T2的Datasheet PDF文件第14页  
    电池保护IC ，电池组
    S- 8261系列
    2.除检测延迟时间（ -40〜
    +85 °C
    *1
    )
    表6
    参数
    符号
    TEST
    条件
    备注
    Rev.1.9
    _00
    （大
    = −40
    to
    +85 °C
    *1
    除非另有规定编）
    TEST
    MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
    电路
    [检测电压]
    V
    CU
    过充电检测电压
    V
    CU
    V
    CU
    V
    CU
    V
    1
    1
    −0.055
    +0.040
    V
    CU
    =
    3.9 V至4.4 V，5 mV的步
    V
    HC
    过充电滞后电压
    V
    HC
    V
    HC
    V
    HC
    V
    1
    1
    V
    HC
    =
    0.0 V至0.4 V， 50 mV的步
    −0.025
    +0.025
    V
    DL
    过放电检测电压
    V
    DL
    V
    DL
    V
    DL
    V
    2
    2
    V
    DL
    =
    2.0 V至3.0 V， 10 mV的步
    −0.080
    +0.080
    V
    HD
    过放电滞后电压
    V
    HD
    V
    HD
    V
    HD
    V
    2
    2
    −0.050
    +0.050
    V
    HD
    =
    0.0 V至0.7 V， 100 mV的步
    V
    IOV1
    V
    IOV1
    V
    IOV1
    1过电流检测电压
    V
    IOV1
    V
    2
    3
    V
    IOV1
    =
    0.05 V至0.3 V ， 10 mV的步
    −0.021
    +0.021
    2过电流检测电压
    V
    IOV2
    3
    0.37 0.5 0.63
    V
    2
    负载短路检测
    V
    短
    3
    0.7
    1.2
    1.7
    V
    2
    电压
    充电器检测电压
    V
    CHA
    4
    V
    2
    −1.2 −0.7 −0.2
    [输入电压，工作电压]
    VDD之间的工作电压
    V
    DSOP1
    内部电路工作电压
    1.5
    8
    V
    和Vss
    VDD之间的工作电压
    内部电路工作电压
    1.5
    28
    V
    V
    DSOP2
    和VM
    [消耗电流]
    消耗电流在正常
    5
    0.7
    3.5
    8.0
    2
    I
    OPE
    V
    DD
    =
    3.5 V, V
    VM
    =
    0 V
    µA
    手术
    休眠时消耗电流
    5
    0.1
    2
    I
    PDN
    V
    DD
    =
    V
    VM
    =
    1.5 V
    µA
    下
    [输出阻抗]
    CO端子电阻“ H”
    R
    COH
    7
    1.2
    5
    15
    4
    V
    CO
    =
    3.0 V, V
    DD
    =
    3.5 V, V
    VM
    =
    0 V
    kΩ
    CO端子电阻“ L”
    R
    COL
    7
    1.2
    5
    15
    4
    V
    CO
    =
    0.5 V, V
    DD
    =
    4.5 V, V
    VM
    =
    0 V
    kΩ
    DO端子电阻“ H”
    R
    DOH
    8
    1.2
    5
    15
    4
    V
    DO
    =
    3.0 V, V
    DD
    =
    3.5 V, V
    VM
    =
    0 V
    kΩ
    DO端子电阻“ L”
    R
    DOL
    8
    1.2
    5
    15
    4
    V
    DO
    =
    0.5 V, V
    DD
    =
    V
    VM
    =
    1.8 V
    kΩ
    [ VM内部电阻]
    VM间内部电阻
    R
    VMD
    6
    78
    300 1310 kΩ
    3
    V
    DD
    =
    1.8 V, V
    VM
    =
    0 V
    和VDD
    VM间内部电阻
    R
    虚拟机
    6
    7.2
    20
    44
    3
    V
    DD
    =
    3.5 V, V
    VM
    =
    1.0 V
    kΩ
    和Vss
    [ 0 V电池充电功能]
    0 V电池充电开始充电器
    11
    0 V电池充电可用
    1.7
    V
    2
    V
    0CHA
    电压
    0 V电池充电禁止电池
    V
    0INH
    12
    0 V电池充电不可用
    0.3
    V
    2
    电压
    *1.
    由于产品不能筛选在高和低的温度下，本说明书中对于此温度范围
    由设计，而不是在生产测试。
    10
    精工电子有限公司

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