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12.1.3 。闪存写入程序
在闪存存储器的字节可以被写入一个字节的时间，或以两种基团。在寄存器中的FLBWE位
PFE0CN （ SFR定义10.1 ）控制的单个字节或两个字节的块是否被写入到闪存
在写操作。当FLBWE被清“0”时，Flash将被写入一个字节的时间。当
FLBWE被设置为' 1 '时，闪光会被写入在两个字节的块。块写操作都在同一个执行
的时间量为单字节写操作，从而可以节省存储大量数据的闪存时，时间
memory.During单字节写入到Flash ，字节分别写入，以及闪存的写入会per-
每个MOVX写指令后形成的。在单字节写入闪存建议的步骤是：
禁止中断。
清除FLBWE位（寄存器PFE0CN ）选择单字节写模式。
将PSWE位（寄存器PSCTL ） 。
清除PSEE位（寄存器PSCTL ） 。
写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
用MOVX指令，写入一个数据字节内的所需位置
512字节扇区。
第8步：清除PSWE位。
第9步：重新允许中断。
步骤5-7必须重复要被写入的每个字节。
对于FLASH块写，只是每个块的最后一个字节后执行的Flash写程序令状
10用MOVX写指令。一个Flash写块是两个字节长，从偶地址为奇数
地址。写操作必须按顺序进行的（即0B和1B结束地址必须写在
顺序） 。闪存的写入会后的MOVX写了以1b结尾的地址进行。如果
在该块中的字节并不需要在闪存更新，它应该被写入到0xFF 。推荐
程序写入闪存以块为：
禁止中断。
设置FLBWE位（寄存器PFE0CN ）选择块写模式。
将PSWE位（寄存器PSCTL ） 。
清除PSEE位（寄存器PSCTL ） 。
写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
用MOVX指令，写的第一个数据字节到连块位置（以结束
0b).
第8步：写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
第9步：写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
第10步用MOVX指令，写第二个数据字节奇数块位置（截止
在1b）中。
第11步：清除PSWE位。
步骤12.重新允许中断。
步骤5-10必须重复将被写入每个块。
第1步。
步骤2 。
步骤3 。
步骤4 。
步骤5 。
步骤6 。
步骤7 。
第1步。
步骤2 。
步骤3 。
步骤4 。
步骤5 。
步骤6 。
步骤7 。
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1.0版
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
