C8051F340/1/2/3/4/5/6/7
13.6.3 。拆分模式与银行选择
当EMI0CF [3：2 ] 。被设置为' 10 '时， XRAM存储器空间被分成两个区域，片上空间和
片外空间。
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低于内部XRAM尺寸边界的有效地址将访问片内XRAM空间。
上述内部XRAM尺寸边界的有效地址将访问片外空间。
8位MOVX操作使用EMI0CN的内容，以确定存储器访问是否是
片上或片外。高8位地址总线A [ 15 ： 8]由EMI0CN确定，
低8位地址总线A [ 7 ： 0 ]由R0或R1确定。所有的16位地址总线的
A [ 15 ：0]驱动“银行选择”模式。
16位MOVX操作使用DPTR的内容，以确定存储器访问是否是
片上或片外的，以及完整的16位的地址总线A [ 15：0]中的芯片外传输驱动
采取行动。
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13.6.4 。仅外部
当EMI0CF [3 ： 2]被设置为' 11'时，所有MOVX操作将被定向到片外空间。片上XRAM是
不可见的CPU中。这种方式在访问片外存储器位于0x0000且有用的
内部XRAM尺寸边界。
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8位MOVX操作忽略EMI0CN的内容。高位地址A [ 15 ： 8 ]不被驱动
（相同的行为与上述在片外访问“拆分模式不带块选择”）。这
允许用户通过直接设置端口的状态来操作高位地址意愿。低
8位有效地址A [7 ：0]由R0或R1的内容决定。
16位MOVX操作使用DPTR的内容确定有效地址A [ 15 ： 0 ] 。全
16位的地址总线A [ 15 ：0]的片外事务处理期间驱动。
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13.7 。定时
外部存储器接口的定时参数可以被配置为使连接到
有不同的设置和设备保持时间的要求。地址建立时间，地址保持时间/
RD和/ WR选通脉冲宽度，并在复用模式下， ALE脉冲的宽度都可以在
通过EMI0TC系统时钟周期， SFR定义13.3所示的单位和EMI0CF [ 1 ： 0 ] 。
为一个片外MOVX指令的时序可以通过添加4个SYSCLK周期的定时进行计算
通过EMI0TC寄存器定义的参数。在非复用操作中，最小执行
时间的片外XRAM操作5个SYSCLK周期（ 1为系统时钟/ RD或/ WR脉冲+ 4个SYSCLK ） 。
对于复用方式，地址锁存使能信号至少需要2个额外的
系统时钟周期。因此，最小执行时间的复用，一次片外XRAM操作
模式为7个SYSCLK周期（ 2 / ALE + 1 / RD或/ WR + 4 ） 。可编程建立和保持时间
默认为一个复位后的最大延迟设定。表13.1列出了AC参数外
存储器接口，以及图13.5 〜图13.10显示了时序图的不同克斯特
最终存储器接口模式和MOVX操作。
1.0版
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SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
