C8051F350/1/2/3
17.2.3 。外部RC示例
如果一个RC网络用作外部振荡源为MCU ，电路应被配置为
在图17.1中，选项2的电容应不大于100pF的更大;然而，对于非常小的
电容，总容量可以通过在PCB布线的寄生电容为主。为了确定
矿井需要的外部振荡器频率控制值（ XFCN ） OSCXCN寄存器，第一
选择的RC网络值，以产生振荡的所需频率。如果期望的频率是
100千赫，让R = 246 kΩ和C = 50 pF的：
f = 1.23( 10
3
） / RC = 1.23 （ 10
3
） / [ 246 * 50 ] = 0.1兆赫= 100千赫
参照表SFR定义17.3 ，所需XFCN设置为010B 。编程XFCN到
在RC模式下更高的设置会提高频率精度，增加外部振荡器电源电流
租。
17.2.4 。外部电容示例
若使用电容器作为外部振荡器为MCU ，电路应被配置为显示在
总电容可以通过在PCB布局寄生电容为主。以确定
需要的外部振荡器频率控制值（ XFCN ） OSCXCN寄存器中，选择电容
TOR使用与找到振荡的下面的方程计算的频率。假设V
DD
= 3.0 V和
F = 150千赫：
F = KF / （C x垂直
DD
)
0.150兆赫= KF / （C X 3.0 ）
自从大约为150kHz的频率需要，从表中SFR定义17.3选择K因子
为KF = 22 ：
0.150兆赫= 22 / （C X 3.0 ）
Ç X 3.0 = 22 / 0.150 MHz的
C = 146.6 / 3.0 PF = 48.8 pF的
因此， XFCN值在这个例子中使用的是011B和C = 50 pF的。
修订版1.1
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