C8051F80x-83x
表7.6 。闪存电气特性
参数
闪存大小（注1 ）
条件
C8051F80x和C8051F810 / 1
C8051F812 / 3/4 /5/6 /7/8 /9和C8051F82x
C8051F830/1/2/3/4/5
10000
25 MHz时钟
25 MHz时钟
15
15
1
民
典型值
16384
8192
4096
—
20
20
—
—
26
26
—
最大
单位
字节
字节
字节
周期
ms
µs
兆赫
耐力（擦/写）
擦除周期时间
写周期时间
闪存在时钟速度
写/擦除操作
注意：
包括安全锁定字节。
表7.7 。内部高频振荡器电气特性
V
DD
= 1.8〜 3.6 V ;牛逼
A
= -40至+85°C ，除非另有规定。使用出厂校准设置。
参数
振荡器频率
振荡器电源电流
条件
IFCN = 11B
25 ° C，V
DD
= 3.0 V,
OSCICN.7 = 1，
OCSICN.5 = 0
民
24
—
典型值
24.5
350
最大
25
650
单位
兆赫
µA
表7.8 。电容式传感电气特性
V
DD
= 1.8〜 3.6 V ;牛逼
A
= -40至+85°C ，除非另有规定。
参数
条件
民
26
—
—
—
—
—
—
—
典型值
38
1
—
3
20
40
75
150
最大
50
—
45
—
—
60
105
165
单位
µs
fF
pF
fF
fF
µA
µA
µA
转换时间
单次转换
每个代码电容
外部容性负载
量化噪声
1
RMS
峰 - 峰值
电源电流
CS模块的偏置电流，25°C
独CS模块，最大码
输出，25°C
唤醒CS阈值
2
, 25 °C
注意事项：
1.
RMS噪声相当于一个标准差。峰峰值噪声包括± 3.3标准
偏差。
2.
包括来自监管机构， CS模块只电流和MCU进入暂停模式。
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1.0版
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
